產品信息
特點
頭部集成了薄膜厚度測量所需功能
通過顯微光譜法測量高精度絕對反射率（多層膜厚度，光學常數(shù)）
1點1秒高速測量
顯微分光下廣范圍的光學系統(tǒng)（紫外至近紅外）
區(qū)域傳感器的安全機制
易于分析向導，初學者也能夠進行光學常數(shù)分析
獨立測量頭對應各種inline客制化需求
支持各種自定義
| OPTM-A1 | OPTM-A2 | OPTM-A3 |
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| 波長范圍 | 230 ~ 800 nm | 360 ~ 1100 nm | 900 ~ 1600 nm |
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| 膜厚范圍 | 1nm ~ 35μm | 7nm ~ 49μm | 16nm ~ 92μm |
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| 測定時間 | 1秒 / 1點 |
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| 光斑大小 | 10μm (最小約5μm) |
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| 感光元件 | CCD | InGaAs |
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| 光源規(guī)格 | 氘燈+鹵素燈 | 鹵素燈 |
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| 電源規(guī)格 | AC100V±10V 750VA（自動樣品臺規(guī)格） |
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| 尺寸 | 555(W) × 537(D) × 568(H) mm (自動樣品臺規(guī)格之主體部分) |
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| 重量 | 約 55kg（自動樣品臺規(guī)格之主體部分） |
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測量項目：
絕對反射率測量
多層膜解析
光學常數(shù)分析（n：折射率，k：消光系數(shù)）
測量示例：
SiO 2 SiN [FE-0002]的膜厚測量
半導體晶體管通過控制電流的導通狀態(tài)來發(fā)送信號，但是為了防止電流泄漏和另一個晶體管的電流流過任意路徑，有必要隔離晶體管，埋入絕緣膜。 SiO 2（二氧化硅）或SiN（氮化硅）可用于絕緣膜。 SiO 2用作絕緣膜，而SiN用作具有比SiO 2更高的介電常數(shù)的絕緣膜，或是作為通過CMP去除SiO 2的不必要的阻擋層。之后SiN也被去除。 為了絕緣膜的性能和精確的工藝控制，有必要測量這些膜厚度。
彩色抗蝕劑（RGB）的薄膜厚度測量[FE - 0003]
液晶顯示器的結構通常如右圖所示。 CF在一個像素中具有RGB，并且它是非常精細的微小圖案。 在CF膜形成方法中，主流是采用應用在玻璃的整個表面上涂覆基于顏料的彩色抗蝕劑，通過光刻對其進行曝光和顯影，并且在每個RGB處僅留下圖案化的部分的工藝。 在這種情況下，如果彩色抗蝕劑的厚度不恒定，將導致圖案變形和作為濾色器導致顏色變化，因此管理膜厚度值很重要。
硬涂層膜厚度的測量[FE-0004]
近年來，使用具有各種功能的高性能薄膜的產品被廣泛使用，并且根據應用不同，還需要提供具有諸如摩擦阻力，抗沖擊性，耐熱性，薄膜表面的耐化學性等性能的保護薄膜。通常保護膜層是使用形成的硬涂層（HC）膜，但是根據HC膜的厚度不同，可能出現(xiàn)不起保護膜的作用，膜中發(fā)生翹曲，或者外觀不均勻和變形等不良。 因此，管理HC層的膜厚值很有必要。
考慮到表面粗糙度測量的膜厚值[FE-0007]
當樣品表面存在粗糙度（粗糙度）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。
使用超晶格模型測量干涉濾波器[FE-0009]
當樣品表面存在粗糙度（粗糙度）時，將表面粗糙度和空氣（air）及膜厚材料以1：1的比例混合,模擬為“粗糙層”，可以分析粗糙度和膜厚度。此處示例了測量表面粗糙度為幾nm的SiN（氮化硅）的情況。
使用非干涉層模型測量封裝的有機EL材料[FE - 0010]
有機EL材料易受氧氣和水分的影響，并且在正常大氣條件下它們可能會發(fā)生變質和損壞。 因此，在成膜后需立即用玻璃密封。 此處展示了密封狀態(tài)下通過玻璃測量膜厚度的情況。玻璃和中間空氣層使用非干涉層模型。
使用多點相同分析測量未知的超薄nk [FE-0013]
為了通過擬合最小二乘法來分析膜厚度值（d）需要材料nk。 如果nk未知，則d和nk都被分析為可變參數(shù)。 然而，在d為100nm或更小的超薄膜的情況下，d和nk是無法分離的，因此精度將降低并且將無法求出精確的d。 在這種情況下，測量不同d的多個樣本，假設nk是相同的，并進行同時分析（多點相同分析）， 則可以高精度、精確地求出nk和d。
用界面系數(shù)測量基板的薄膜厚度[FE-0015]
如果基板表面非鏡面且粗糙度大，則由于散射，測量光降低且測量的反射率低于實際值。而通過使用界面系數(shù)，因為考慮到了基板表面上的反射率的降低，可以測量出基板上薄膜的膜厚度值。 作為示例，展示測量發(fā)絲成品鋁基板上的樹脂膜的膜厚度的例子。
各種用途的DLC涂層厚度的測量
DLC（類金剛石碳）是無定形碳基材料。 由于其高硬度、低摩擦系數(shù)、耐磨性、電絕緣性、高阻隔性、表面改性以及與其他材料的親和性等特征，被廣泛用于各種用途。 近年來，根據各種不同的應用，膜厚度測量的需求也在增加。
一般做法是通過使用電子顯微鏡觀察準備的監(jiān)測樣品橫截面來進行破壞性的DLC厚度測量。而大塚電子采用的光干涉型膜厚計，則可以非破壞性地和高速地進行測量。通過改變測量波長范圍，還可以測量從極薄膜到超厚膜的廣范圍的膜厚度。
通過采用我們自己的顯微鏡光學系統(tǒng)，不僅可以測量監(jiān)測樣品，還可以測量有形狀的樣品。 此外，監(jiān)視器一邊確認檢查測量位置一邊進行測量的方式，還可以用于分析異常原因。
支持定制的傾斜/旋轉平臺，可對應各種形狀。可以測量實際樣本的任意多處位置。
光學干涉膜厚度系統(tǒng)的薄弱點是在不知道材料的光學常數(shù)（nk）的情況下，無法進行精確的膜厚度測量，對此大塚電子通過使用獨特的分析方法來確認：多點分析。通過同時分析事先準備的厚度不同的樣品即可測量。與傳統(tǒng)測量方法相比，可以獲得極高精度的nk。
通過NIST（美國國家標準與技術研究院）認證的標準樣品進行校準，保證了可追溯性。
